RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
40
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
40
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
9.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2031
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link