RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2580
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link