RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2672
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lenovo 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link