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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.9
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
18.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
4207
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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