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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
56
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
24
读取速度,GB/s
4,387.7
20.1
写入速度,GB/s
1,813.5
18.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
4207
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
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