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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3567
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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