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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
11.8
17.7
写入速度,GB/s
7.3
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3567
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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