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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2865
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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