RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2527
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link