Comparação RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Pontuação geral

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

17 56

Por volta de 70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 20.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.4 10.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3391 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns