Confronto tra le RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Punteggio complessivo

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

17 56

Intorno 70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

22.8 20.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.4 10.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3391 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns