RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
56
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
20.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
56
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
15.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2455
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link