RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2783
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link