Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 32
    Por volta de 16% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.8 left arrow 11.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 7.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.8 left arrow 16.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.3 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2057 left arrow 2641
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações