RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2641
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link