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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Comparar
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
45
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2237
3112
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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