Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 45
    Около -105% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 10.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.9 left arrow 8.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.8 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.7 left arrow 11.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2237 left arrow 3112
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения