RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3013
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link