RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 14.6
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 64
    Около -156% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.9 left arrow 2,256.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    64 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,651.3 left arrow 14.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,256.8 left arrow 9.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    837 left arrow 2427

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
модули RAM
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
модули RAM