Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 50

Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.1 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 7.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 18.1
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 17000

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2159 3536

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston 9905678-058.A00G 4GB

Kingston 9905678-058.A00G 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

модули RAM