RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3084
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link