RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3084
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link