RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2891
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link