RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3153
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link