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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2330
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
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