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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3098
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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