RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3342
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link