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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
62
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
37
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2591
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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