RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
51
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
51
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2049
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Relatar um erro
×
Bug description
Source link