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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
75
Por volta de -213% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2484
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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