RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
75
Por volta de -213% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2484
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link