RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2484
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology ADOVF1B163BEG 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link