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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
75
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3047
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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