RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2322
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link