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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
74
Por volta de -147% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3044
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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