RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
74
Intorno -147% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
30
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3044
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link