RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
74
Por volta de -131% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2959
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link