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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
74
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
32
读取速度,GB/s
4,178.4
14.6
写入速度,GB/s
2,201.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2959
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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