RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
74
Por volta de -236% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3116
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link