RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
74
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
9.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2625
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link