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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
74
Por volta de -35% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
55
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2870
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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