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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
74
101
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
101
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
7.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
1313
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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