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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
101
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
101
读取速度,GB/s
4,178.4
14.2
写入速度,GB/s
2,201.1
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1313
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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