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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
5,022.9
12.6
写入速度,GB/s
1,597.0
10.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
2759
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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