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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
74
Por volta de -72% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
6400
Por volta de 3.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
43
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
23400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2794
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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