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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
74
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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