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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
73
Por volta de -161% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3128
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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