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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
16.5
写入速度,GB/s
1,423.3
12.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3128
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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