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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3192
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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