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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
3,510.5
14.5
写入速度,GB/s
1,423.3
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3192
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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