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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,226.4
13.7
写入速度,GB/s
1,479.2
9.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2347
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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